牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Polaris
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简介：牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Polaris 专为刻蚀坚硬材料（如GaN，蓝宝石和SiC）所需要使用的腐蚀性化学气体而设计，可在最大直径200mm的晶圆上实现快速均匀刻蚀。 高效的刻蚀速率 低购置成本 专为腐蚀性...
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- 产品介绍
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Polaris专为刻蚀坚硬材料（如GaN，蓝宝石和SiC）所需要使用的腐蚀性化学气体而设计，可在最大直径200mm的晶圆上实现快速均匀刻蚀。
ICP刻蚀是一种被广泛使用的技术，可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定，因此能够更好地控制刻蚀形貌。 Cobra® ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。衬底上的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 因此可根据工艺要求控制离子能量。
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高效的刻蚀速率
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低购置成本
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专为腐蚀性的化学成分而设计
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出色的刻蚀均匀性
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适用于蓝宝石的静电压盘技术
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蓝宝石和硅上的GaN
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高导通抽气系统
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可与其它PlasmaPro系统集成
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Polaris特征
PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精湛的刻蚀效果提供了智能解决方案，使您在行业中能保持竞争优势。
主动冷却电极 - 在刻蚀过程中保持样品温度
高功率ICP源 - 产生高密度等离子体
可靠的硬件且易于维护 - 可保持长时间正常运转
磁场垫环 - 增强离子的控制和均匀性
静电压盘技术 - 适用于蓝宝石，以及蓝宝石和硅基的GaN
加热的腔室内衬 - 优化以减少腔壁沉积
先进的自动匹配单元（AMU） - 提供快速，高效和准确的匹配，确保工艺的高度精准重复性
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Polaris应用
- RF器件SiC通孔刻蚀
- 功率半导体器件SiC形貌刻蚀
- HBLED GaN刻蚀
- RF device GaN etch
- Patterned Sapphire Substrate (PSS) Etch
- SiO2 and quartz etch
ICP刻蚀是一种被广泛使用的技术，可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定，因此能够更好地控制刻蚀形貌。 Cobra® ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。衬底上的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 因此可根据工艺要求控制离子能量。
电感耦合等离子体刻蚀要点
- 高刻蚀速率
- 出色的均匀性
- 低气压下高密度的反应粒子
- 精准的衬底直流偏压控制
- 精准的离子能量控制
- 更宽的电极温度范围 -150ºC至+400ºC
电感耦合等离子体刻蚀特点及优势
- 高刻蚀速率可由高离子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度来实现
- 能够利用低离子能量实现对选择比和损伤的控制
- 独立的射频和电感耦合等离子体发生器分别提供了对离子能量和离子密度的独立控制, 从而实现了高度的工艺灵活性
- 在低气压工艺下同时仍具有高离子密度，这样可以改善对外形的控制
- 化学和离子诱导刻蚀
- 也可以在RIE模式下运行，以满足某些慢速刻蚀的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉积
- 高导通的泵送端口可提供高气体流量，以实现快速的刻蚀速率
- 静电屏蔽消除了电容耦合，减少了对器件的电学损伤，以及在腔室内减少了杂质颗粒的形成
- 标准化的晶圆压盘与氦冷却，提供了出色的温度控制，同时可以选择更宽的温度范围
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