牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Estrelas
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简介：牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Estrelas平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，Plasm...
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- 产品介绍
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Estrelas平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工艺灵活性。
ICP刻蚀是一种被广泛使用的技术，可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定，因此能够更好地控制刻蚀形貌。 Cobra® ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。衬底上的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 因此可根据工艺要求控制离子能量。
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光滑侧壁工艺
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高刻蚀速率腔刻蚀
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高深宽比工艺
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锥形通孔刻蚀
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广泛的应用领域
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机械或静电压盘
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加热内衬
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改善重复性
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延长了两次清洗间的平均时间间隔（MTBC）
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Estrelas特征
硬件设计使同一腔室中可进行Bosch™和超低温刻蚀工艺，使得纳米和微米结构刻蚀均可实现。
兼容50mm至200mm的衬底 - 确保您只需一台系统，便具备从研发器件到量产的能力
自动匹配 - 拥有工艺灵活性
更高流量的质量流量计以及等离子发生器 - 自由基密度更高
减小的腔体尺寸和高效率的泵 - 确保气体高速流通
快速近距离耦合质量流量计 - 快速控制（初始为ALD而开发）
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 100 Estrelas应用
- 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
- 二氧化硅和石英刻蚀
ICP刻蚀是一种被广泛使用的技术，可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定，因此能够更好地控制刻蚀形貌。 Cobra® ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。衬底上的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 因此可根据工艺要求控制离子能量。
电感耦合等离子体刻蚀要点
- 高刻蚀速率
- 出色的均匀性
- 低气压下高密度的反应粒子
- 精准的衬底直流偏压控制
- 精准的离子能量控制
- 更宽的电极温度范围 -150ºC至+400ºC
电感耦合等离子体刻蚀特点及优势
- 高刻蚀速率可由高离子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度来实现
- 能够利用低离子能量实现对选择比和损伤的控制
- 独立的射频和电感耦合等离子体发生器分别提供了对离子能量和离子密度的独立控制, 从而实现了高度的工艺灵活性
- 在低气压工艺下同时仍具有高离子密度，这样可以改善对外形的控制
- 化学和离子诱导刻蚀
- 也可以在RIE模式下运行，以满足某些慢速刻蚀的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉积
- 高导通的泵送端口可提供高气体流量，以实现快速的刻蚀速率
- 静电屏蔽消除了电容耦合，减少了对器件的电学损伤，以及在腔室内减少了杂质颗粒的形成
- 标准化的晶圆压盘与氦冷却，提供了出色的温度控制，同时可以选择更宽的温度范围
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