牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 80 ICP
名称：其他仪器与工具
品牌：
型号：
简介：牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 80 ICP 是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸，是科学研究、原型设计和少量生产...
申请服务
- 产品介绍
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 80 ICP是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸，是科学研究、原型设计和少量生产的理想选择。 该设备通过优化了的电极冷却技术和出色的衬底温度控制来实现高度稳定的工艺结果。
-
直开式设计允许快速装卸晶圆
-
出色的刻蚀深度和刻蚀速率控制
-
出色的晶圆温度均匀性
-
晶圆最大可达200mm
-
购置成本低
-
符合半导体行业 S2 / S8标准
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 80 ICP应用
- III-V族材料刻蚀工艺
- 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
- 二氧化硅和石英刻蚀
- 用于失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆
- 用于高亮度LED生产的硬掩模的沉积和刻蚀
牛津仪器 电感耦合等离子体刻蚀PlasmaPro 80 ICP特点
- 小型系统 —— 易于安置
- 优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制
- 高导通的径向（轴对称）抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率
- 增加<500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录
- 近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度
- 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单
- X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配
- 通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快
- 用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界
- 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测
ICP刻蚀是一种被广泛使用的技术，可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定，因此能够更好地控制刻蚀形貌。 Cobra® ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。衬底上的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 因此可根据工艺要求控制离子能量。
电感耦合等离子体刻蚀要点
- 高刻蚀速率
- 出色的均匀性
- 低气压下高密度的反应粒子
- 精准的衬底直流偏压控制
- 精准的离子能量控制
- 更宽的电极温度范围 -150ºC至+400ºC
电感耦合等离子体刻蚀特点及优势
- 高刻蚀速率可由高离子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度来实现
- 能够利用低离子能量实现对选择比和损伤的控制
- 独立的射频和电感耦合等离子体发生器分别提供了对离子能量和离子密度的独立控制, 从而实现了高度的工艺灵活性
- 在低气压工艺下同时仍具有高离子密度，这样可以改善对外形的控制
- 化学和离子诱导刻蚀
- 也可以在RIE模式下运行，以满足某些慢速刻蚀的需要
- 可用于ICP－CVD模式的沉积
- 高导通的泵送端口可提供高气体流量，以实现快速的刻蚀速率
- 静电屏蔽消除了电容耦合，减少了对器件的电学损伤，以及在腔室内减少了杂质颗粒的形成
- 标准化的晶圆压盘与氦冷却，提供了出色的温度控制，同时可以选择更宽的温度范围
最新产品
相关产品
