牛津仪器 PlasmaPro 100 ICPCVD
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简介：牛津仪器 PlasmaPro 100 ICPCVD特点 更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺 高质量薄膜 电极的适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 快速更换不同尺寸晶圆 购置成本低且易于维护 紧密的设计，布局灵活 电阻丝加热电...
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- 产品介绍
牛津仪器 PlasmaPro 100 ICPCVD特点
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更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺
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高质量薄膜
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电极的适用温度范围宽
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兼容200mm以下所有尺寸的晶圆
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快速更换不同尺寸晶圆
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购置成本低且易于维护
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紧密的设计，布局灵活
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电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C
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实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺
牛津仪器 PlasmaPro 100 ICPCVD应用
- 在低温度下沉积低损伤的薄膜
- 可沉积的典型材料包括： SiO2、Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC，衬底温度可低至5ºC
- 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工艺的均匀性
- 晶圆尺寸高至200mm
- 电极的温度范围为5ºC至400ºC
- 已获得专利的ICPCVD气体配送技术
- 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺
